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发表于 2017-2-15 16:32:26
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85.41  二极管、晶体管及类似的半导体器件;光敏半导体器件,包括不论是否装在组件内或组装成块的光电池;发光二极管(LED);已装配的压电晶体(+):9 i' B E( s; ?' c& o- T1 j8 p0 S
   10  — 二极管,但光敏二极管或发光二极管(LED)除外4 F4 M+ `( d. r
    — 晶体管,但光敏晶体管除外:
4 Z& G1 \2 o1 N: ~/ G7 n    21  — — 耗散功率小于1瓦的, S& K/ L! H: \$ f6 ?) M" U0 `8 B
   29  — — 其他
$ e6 }! T+ z: L) u P8 j    30  — 半导体开关元件、两端交流开关元件及三端双向可控硅开关元件,但光敏器件除外! Y) W" `% }0 c; n- u' t
   40  — 光敏半导体器件,包括不论是否装在组件内或组装成块的光电池;发光二极管(LED)
4 b6 U' z. m: {* m. @' u4 @    50  — 其他半导体器件
8 |) J# k) |" b. Z5 j    60  — 已装配的压电晶体
: k: Z8 J% n" f6 ~/ _8 ~% s5 u    90  — 零件
" T5 |* y ~& s8 G* d; b 
9 a: B$ ~8 M" i 一、二极管、晶体管及类似的半导体器件
, _, X: h- Y. U! C 半导体器件的定义,参见本章注释九(一)。, M8 a6 I5 D$ q$ q' d1 Y5 t. i5 c+ |
这些半导体器件是依靠某些“半导体”材料的电子性能进行工作的。
$ f3 ` u( [/ v5 t+ Z3 m) T 这些半导体材料的主要特点是在室温下其电阻率介于导体(金属)与绝缘体的电阻率之间。这些材料为以下物质:某些矿石(例如,结晶方铅矿)、四价化学元素(锗、硅等)或化学元素的化合物(例如,砷化镓、锑化铟等三价及五价化学元素的化合物)。
6 n, Y' Q, z$ c! i. q/ V 含有四价化学元素的半导体材料一般是单晶体。这些材料纯净时不能使用,必须掺入极微量(以百万分之几计)的特定“杂质”(掺杂剂)之后才可使用。. M) G) q% k/ T3 `* j
掺入四价化学元素的“杂质”为五价化学元素(磷、砷、锑等)或三价元素(硼、铝、镓、铟等)。前者可得到带多余电子(带负电)的n型半导体;后者可得到所带电子不足,也就是说以空穴(带正电)为主的p型半导体。+ z! l5 A- H/ }' Q$ ^, k" w% K
由三价与五价化学元素化合而成的半导体材料也需掺杂。
' U |+ c8 \+ [; L6 e" ?6 T+ G" V 矿石半导体材料中含有天然杂质,可作为掺杂剂。
8 A& L% D s' m 本组的半导体器件一般在p型与n型半导体材料之间含有一个或多个“结”。
3 P& ?2 v0 j. y7 M- W 这些半导体器件包括:7 i$ ^' ^- k" ?* ^/ M4 a" x
(一)二极管,一种仅带有一个p-n结的半导体两端器件,可单向(正向)导电,而对另一方向(反向)的电流产生很大的阻力。二极管可用于检波、整流、开关等方面。, F( q/ y$ M; j# @# V, x8 e
二极管的主要类型有信号管、整流管、调压管、基准电压管。) k9 w4 r0 _3 M
(二)晶体管,为半导体三端或四端器件,能对电流起放大、振荡、变频或开关等作用。晶体管是依靠其中两个电极之间电阻率的变化,并同时对第三个电极施加电场而进行工作的。所施加的控制信号或电场比因电阻变化而产生的作用更加微弱,从而起到放大的作用。/ e, y9 ~& H# F* z( l* l* f, C
晶体管包括:! r1 z, P: U+ e" P( \( S" t
1.双极型晶体管。这是一种带有两个二极管式面结的半导体三端器件;这种晶体管依靠正电荷载流子及负电荷载流子进行工作(因而是双极的)。2 J- s7 w0 D' l* Y- r
2.场效应晶体管〔也称为金属氧化物半导体(MOS)场效应管〕,不论其是否带有面结,均是依靠两电极间可用电荷载流的感应衰竭(或感应增强)进行工作的。场效应晶体管的晶体管工作时仅使用一种电荷载流子(因而是单极的)。MOS场效应晶体管(也称为MOSFET)中的寄生二极管,可以在电感负载切换中作为续流二极管使用。装有四个电极的MOS场效应晶体管称为四极管。# d" j! u- ^, i& s
(三)类似的半导体器件。这里所称的“类似”半导体器件,是指依靠施加电场时所引起的电阻率的变化进行工作的半导体器件。
! H, n( n' X' X) t 它们包括:3 n# r# d5 p! N l3 r' c
1.半导体开关元件。这种器件的半导体材料(带有三个或三个以上的p-n结)共有四个传导区。当控制脉冲产生传导性时,直流电可从传导区中定向通过。半导体开关元件可用作控制整流器、转换器或放大器,其性能与带有一个共集极/共基极结的两个联结互补晶体管相同。
7 m6 e- f0 I4 v& x7 F2 b2.三端双向可控硅开关元件。这种器件的半导体材料(带有四个p-n结)共有五个传导区,当控制脉冲产生传导性时,交流电可通过。
% `" m' \+ ?% B, W 3. 绝缘栅双极型晶体管(IGBT),是由一个门极、两个负载极(发射极及集电极)构成的三端器件。通过对门极与发射极施加适当的电压,可以控制电流的流向,即接通或切断。IGBT芯片可与二极管封装在一起(IGBT模块),以保护IGBT器件,并使其具有晶体管的功能。" r+ a" W) J# m1 y( ?' K( g
4.两端交流开关元件。这种器件的半导体材料(带有两个p-n结)共有三个传导区,可产生所需脉冲,以操纵三端双向可控硅开关元件。
2 @! ^/ x6 a9 E" c 5.可变电抗器(或称变容二极管)。
, H0 J, O, X+ U3 j8 _3 j" m 6.场效应器件,例如,栅极晶体管。3 X. t4 }& p c9 R" [9 h5 Y
7.冈恩效应器件。+ _( P# T7 J b) d
但本组不包括某些半导体器件。这些半导体器件与上述半导体器件不同,主要利用温度、压力等进行工作。例如,非线性半导体电阻器(热敏电阻器、变阻器、磁电阻器等)(品目85.33)。
; h( V& N9 ?$ ?: K3 y3 l 利用光线进行工作的光敏器件(光敏二极管等)的归类,参见第二部分。% L3 X, H9 N6 O0 ^3 {% \
上述半导体器件,不论其报验时已经装配(即已装有线接头或引线),或者已装有外壳(器件),或未装配(元件),或者甚至是未切成形的薄圆片(晶片),均归入本品目。但天然半导体材料(例如,方铅矿)须经装配才可归入本品目。
9 }. Y- K* A2 Z/ {' i" G 本品目也不包括第二十八章的化学元素(例如,硅及硒)经过掺杂后用于电子工业的产品。它们为圆片、薄片或类似形状,不论是否已经抛光,也不论是否已经覆有均匀的外延层,均不归入本品目,除非这些货品已经有选择地掺入掺杂剂或者已经过扩散,形成分立的导电区。
. [8 o6 p. f" H0 {" d 二、光敏半导体器件) H' z- G5 t# v; c+ Y1 S$ f& B
本组包括光敏半导体器件,这些半导体在可见光线、红外线或紫外线的作用下,利用其内在光电效应,引起电阻率的变化或产生电动势。
% t, d) U8 L) s 利用外部光电效应(光电发射)进行工作的光电发射管,应归入品目85.40。9 M7 W( b) e: J1 W" r
光敏半导体器件的主要类型有:
8 e3 N1 E! ~: ~( `9 Z' X (一)光电管(光敏电阻器),一般装有两个电极,两个电极之间为半导体(硫化镉、硫化铅等),其电阻随所受到的光照强度而变化。
# y/ _9 x* a5 @1 }" P* v 光电管用于火焰探测器,自动照相机、移动物体计数器、自动精密测量装置用的曝光表,自动开门系统等。, H4 W+ C% A4 S B' [1 ~7 f( I. a
(二)光电池,可直接把光变成电能,无须外部电源。用硒作阻挡层的光电池主要用于照度计及曝光表。用硅作阻挡层的光电池具有较大的输出功率,特别适用于控制与调节设备、检测光脉冲及纤维光导通信系统等。
" `7 M- v- z$ t( D+ g& L 光电池的主要类型有:
( A, {6 W: p9 E7 h 1.太阳电池,一种硅阻挡层光电池,可直接把太阳光变成电能。太阳电池通常成组作为电源使用。例如,用于探索太空的火箭及人造卫星;山区呼救送话器。/ k4 {( ^ |" p/ w" c
本品目也包括不论是否装在组件内或组装成块的太阳电池。但本品目不包括配有元件,直接为电动机、电解槽等供电的电池板及电池组件,不论所配元件如何简单(例如,用于控制电流方向的二极管)(品目85.01)。2 i5 |! @4 Y2 l' Y0 C5 v! d
2.光电二极管(锗光电二极管、硅光电二极管等)。光电二极管的特点是,当光线照射到p-n结时,其电阻率会发生变化。它可用于自动数据处理(储存数据的读取);在某些电子管中作为光阴极使用;用于辐射高温计等。光电晶体管及光敏闸流晶体管均属这类光电接收器件。
; [2 N% v1 ^: X+ U V1 { 光电二级管装上外壳后,可根据其外壳与上述第一部分所列的二极管、晶体管及闸流晶体管相区别;光电二极管的外壳有部分是透明的,以便透光。
8 ], @5 i* L0 C 3.光电耦及光电继电器,由电发光二极管与光电二极管、光电晶体管或光敏闸流晶体管组成。
1 I: Z! G0 S) e" y 光电半导体器件报验时,不论是已经装配(例如,装有线接头或引线),已装外壳或未经装配的,均归入本品目。" h6 a0 P5 o5 v @% p1 j W2 r
三、发光二极管(LED)6 b1 r0 V, Q8 r, x& f: ` q& G
发光二极管(LED),或电发光二极管(特别是使用砷化镓或磷化镓的发光二极管)是一种可把电能变成可见光线、红外线或紫外线的半导体器件,例如,可在控制系统中作显示或传输数据之用。
) u# x( ~# p) J& ?2 H2 l# Y 激光二极管。这种二极管可发射出连贯的光束,用于探测核子,也用于测高计、遥测设备或纤维光导通信系统。& @/ [! J _; ?0 U. n# h
四、已装配的压电晶体
0 h, A# C0 w* m( ^# \( h 压电晶体主要由钛酸钡(包括用钛酸钡制成的多晶偏光元件)、锆酸钛酸铅或品目38.24所列的其他晶体(参见相应的注释)、石英或电气石晶体制成,用于传声器、扬声器、超声波装置、稳频振荡电路等。只有已装配的压电晶体才归入本品目。压电晶体一般为板、棒、圆片、环等形状,并且必须装有电极或电接头。压电晶体可涂有一层石墨、清漆等,或装在支座上,常装有一个外壳(例如,金属盒、玻璃泡)。但如果装配了其他器件,整件货品(装上附加晶体)则不能作为已经装配的晶体,而应作有关机器或器具的零件并按有关机器或器具的零件归类。例如,传声器或扬声器用的压电元件(品目85.18);拾音头(品目85.22);超声波测厚仪用的拾波元件(探针)(一般酌情根据第九十章注释二(二)归入第九十章或归入品目90.33);电子表用的石英振荡子(品目91.14)。' y7 d. ^/ X# p% f8 q% Q! e: X
本品目不包括未装配的压电晶体(一般归入品目38.24、71.03或71.04)。5 c) K2 [" X* V1 i W
零  件& C0 d% n* N Q& l
除零件的归类总原则另有规定的以外(参见第十六类总注释),本品目所列货品的零件也应归入本品目。
: z7 E; o r' i$ @$ T. q; @( [○3 e" U: {2 _7 G- |3 @- D' x
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. H/ a$ p7 Z5 U& e2 W$ f子目注释:
; X' j, ?! ~- }# t8 m' \子目8541.21
$ O! ^1 M! y, t 把特定的工作电压施加到晶体管上,并测量其连续处理功率,当晶体管外壳的温度为25℃时,即可测量出晶体管的耗散功率。例如,如果一个晶体管给定操作电压为5伏特,晶体管外壳的温度保持在25℃时,可连续处理0.2安培的负载,那么,该晶体管的耗散功率即为1瓦特(安培数×伏特数=瓦数)。$ f4 ]' f) O9 f/ q* P& M( r
带有热耗散器件(例如,突片、金属壳)的晶体管,以其底部或壳子的温度作为参照温度(25℃);而其他晶体管(例如,配有简单的塑料外壳)则以室温作为参照温度。 |
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