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发表于 2017-2-15 16:32:26
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85.41  二极管、晶体管及类似的半导体器件;光敏半导体器件,包括不论是否装在组件内或组装成块的光电池;发光二极管(LED);已装配的压电晶体(+): C3 y; k3 X5 U; u% T. G4 ?/ o
   10  — 二极管,但光敏二极管或发光二极管(LED)除外% y' x, q$ w3 W( b/ |% U& d
    — 晶体管,但光敏晶体管除外:: D' y @! o p, A+ o- N& z8 V
   21  — — 耗散功率小于1瓦的. c" H' A! F% h9 ^1 @, r
   29  — — 其他
# F9 ]2 K9 y9 B' X) S* x    30  — 半导体开关元件、两端交流开关元件及三端双向可控硅开关元件,但光敏器件除外6 B% R1 Q$ K. D" G
   40  — 光敏半导体器件,包括不论是否装在组件内或组装成块的光电池;发光二极管(LED)7 p/ |9 y) I& g' e5 o& Z
   50  — 其他半导体器件
% s0 x; F' A* o4 {4 K6 c' }    60  — 已装配的压电晶体" }5 Q7 N+ J9 Z% _ a5 _
   90  — 零件7 X- e, e5 _4 m, U4 w5 W5 ^
 
' \! K E: o) ?7 l. b- G 一、二极管、晶体管及类似的半导体器件" H8 S# K# G" _ [: n" P
半导体器件的定义,参见本章注释九(一)。5 e0 }0 j% E- W& |3 ^3 k
这些半导体器件是依靠某些“半导体”材料的电子性能进行工作的。8 _6 C. t! c' c6 t. O7 h+ T
这些半导体材料的主要特点是在室温下其电阻率介于导体(金属)与绝缘体的电阻率之间。这些材料为以下物质:某些矿石(例如,结晶方铅矿)、四价化学元素(锗、硅等)或化学元素的化合物(例如,砷化镓、锑化铟等三价及五价化学元素的化合物)。1 d3 d, u# t# `' U' S0 M1 K: z
含有四价化学元素的半导体材料一般是单晶体。这些材料纯净时不能使用,必须掺入极微量(以百万分之几计)的特定“杂质”(掺杂剂)之后才可使用。
/ p% L( g R- f$ D! s 掺入四价化学元素的“杂质”为五价化学元素(磷、砷、锑等)或三价元素(硼、铝、镓、铟等)。前者可得到带多余电子(带负电)的n型半导体;后者可得到所带电子不足,也就是说以空穴(带正电)为主的p型半导体。8 k, `6 E: Q2 m$ {" a- m3 N
由三价与五价化学元素化合而成的半导体材料也需掺杂。 C2 O. r2 `+ ]/ T& N# j( x% L: g
矿石半导体材料中含有天然杂质,可作为掺杂剂。
7 }% {4 C' }% z" D0 ` 本组的半导体器件一般在p型与n型半导体材料之间含有一个或多个“结”。0 Z! ]* Z/ l1 i \* P4 G
这些半导体器件包括:
; ?, a/ d9 H9 X( y5 ^ (一)二极管,一种仅带有一个p-n结的半导体两端器件,可单向(正向)导电,而对另一方向(反向)的电流产生很大的阻力。二极管可用于检波、整流、开关等方面。
# \# P! [6 C( R6 J' n 二极管的主要类型有信号管、整流管、调压管、基准电压管。+ [+ d, I9 i" r4 n" X' j( }
(二)晶体管,为半导体三端或四端器件,能对电流起放大、振荡、变频或开关等作用。晶体管是依靠其中两个电极之间电阻率的变化,并同时对第三个电极施加电场而进行工作的。所施加的控制信号或电场比因电阻变化而产生的作用更加微弱,从而起到放大的作用。: t% x G" i3 ^% J! d5 P
晶体管包括:7 Y$ o! k& j R8 b% |
1.双极型晶体管。这是一种带有两个二极管式面结的半导体三端器件;这种晶体管依靠正电荷载流子及负电荷载流子进行工作(因而是双极的)。& M0 l8 F6 R9 K T* y& U* [8 m
2.场效应晶体管〔也称为金属氧化物半导体(MOS)场效应管〕,不论其是否带有面结,均是依靠两电极间可用电荷载流的感应衰竭(或感应增强)进行工作的。场效应晶体管的晶体管工作时仅使用一种电荷载流子(因而是单极的)。MOS场效应晶体管(也称为MOSFET)中的寄生二极管,可以在电感负载切换中作为续流二极管使用。装有四个电极的MOS场效应晶体管称为四极管。9 i9 O! T& {1 W0 z [6 {
(三)类似的半导体器件。这里所称的“类似”半导体器件,是指依靠施加电场时所引起的电阻率的变化进行工作的半导体器件。) i. J, x- W6 ?6 i! Z: Q
它们包括: h$ ?2 ?. H# ?& |7 P
1.半导体开关元件。这种器件的半导体材料(带有三个或三个以上的p-n结)共有四个传导区。当控制脉冲产生传导性时,直流电可从传导区中定向通过。半导体开关元件可用作控制整流器、转换器或放大器,其性能与带有一个共集极/共基极结的两个联结互补晶体管相同。" h+ E3 }4 [" Y( d3 C6 z
2.三端双向可控硅开关元件。这种器件的半导体材料(带有四个p-n结)共有五个传导区,当控制脉冲产生传导性时,交流电可通过。: N* v" u: y3 } z
3. 绝缘栅双极型晶体管(IGBT),是由一个门极、两个负载极(发射极及集电极)构成的三端器件。通过对门极与发射极施加适当的电压,可以控制电流的流向,即接通或切断。IGBT芯片可与二极管封装在一起(IGBT模块),以保护IGBT器件,并使其具有晶体管的功能。. k! z+ F: }$ O( C1 K8 s9 L9 v
4.两端交流开关元件。这种器件的半导体材料(带有两个p-n结)共有三个传导区,可产生所需脉冲,以操纵三端双向可控硅开关元件。
; I1 O2 z, I. o2 \! V8 a, c 5.可变电抗器(或称变容二极管)。
' w4 g8 z$ M' i. V7 I u' T 6.场效应器件,例如,栅极晶体管。7 _9 e( W0 p& t4 Q
7.冈恩效应器件。5 a: S A4 o! t" i2 r! b
但本组不包括某些半导体器件。这些半导体器件与上述半导体器件不同,主要利用温度、压力等进行工作。例如,非线性半导体电阻器(热敏电阻器、变阻器、磁电阻器等)(品目85.33)。, X& e5 W, ?/ |/ v
利用光线进行工作的光敏器件(光敏二极管等)的归类,参见第二部分。/ N& k4 K0 H; q# b2 P/ ?( b6 Q
上述半导体器件,不论其报验时已经装配(即已装有线接头或引线),或者已装有外壳(器件),或未装配(元件),或者甚至是未切成形的薄圆片(晶片),均归入本品目。但天然半导体材料(例如,方铅矿)须经装配才可归入本品目。 I7 s. Y+ S _8 `2 y: a
本品目也不包括第二十八章的化学元素(例如,硅及硒)经过掺杂后用于电子工业的产品。它们为圆片、薄片或类似形状,不论是否已经抛光,也不论是否已经覆有均匀的外延层,均不归入本品目,除非这些货品已经有选择地掺入掺杂剂或者已经过扩散,形成分立的导电区。
" {! k/ k: S" i0 k7 M0 s2 d" W 二、光敏半导体器件
* B+ v6 [, Y" H; ?* n+ ] 本组包括光敏半导体器件,这些半导体在可见光线、红外线或紫外线的作用下,利用其内在光电效应,引起电阻率的变化或产生电动势。1 e; i! W) X3 Z' Q- ?2 \
利用外部光电效应(光电发射)进行工作的光电发射管,应归入品目85.40。8 {8 B# X; o2 u* b- [' D3 x
光敏半导体器件的主要类型有:
5 W( N+ ] [& l) ?, {5 H (一)光电管(光敏电阻器),一般装有两个电极,两个电极之间为半导体(硫化镉、硫化铅等),其电阻随所受到的光照强度而变化。$ |3 v8 m2 g' p( M8 D* L# U
光电管用于火焰探测器,自动照相机、移动物体计数器、自动精密测量装置用的曝光表,自动开门系统等。
4 l1 j& `/ N5 q$ }" @ (二)光电池,可直接把光变成电能,无须外部电源。用硒作阻挡层的光电池主要用于照度计及曝光表。用硅作阻挡层的光电池具有较大的输出功率,特别适用于控制与调节设备、检测光脉冲及纤维光导通信系统等。$ J' I; ~& }0 T4 G( Q3 {
光电池的主要类型有:
% ~" h% ]* r, `: Q } 1.太阳电池,一种硅阻挡层光电池,可直接把太阳光变成电能。太阳电池通常成组作为电源使用。例如,用于探索太空的火箭及人造卫星;山区呼救送话器。+ j! s1 M$ X/ ~" ~$ Q! R5 L6 w
本品目也包括不论是否装在组件内或组装成块的太阳电池。但本品目不包括配有元件,直接为电动机、电解槽等供电的电池板及电池组件,不论所配元件如何简单(例如,用于控制电流方向的二极管)(品目85.01)。& P& ~9 G$ y0 [* z
2.光电二极管(锗光电二极管、硅光电二极管等)。光电二极管的特点是,当光线照射到p-n结时,其电阻率会发生变化。它可用于自动数据处理(储存数据的读取);在某些电子管中作为光阴极使用;用于辐射高温计等。光电晶体管及光敏闸流晶体管均属这类光电接收器件。% t4 k6 w6 M3 v k, A- M
光电二级管装上外壳后,可根据其外壳与上述第一部分所列的二极管、晶体管及闸流晶体管相区别;光电二极管的外壳有部分是透明的,以便透光。
7 N; t2 v2 }2 i8 t+ s9 A 3.光电耦及光电继电器,由电发光二极管与光电二极管、光电晶体管或光敏闸流晶体管组成。2 |$ }2 L' N: V8 ]+ a' i C4 s
光电半导体器件报验时,不论是已经装配(例如,装有线接头或引线),已装外壳或未经装配的,均归入本品目。
, T+ w- V$ ` p# q7 z" J3 L 三、发光二极管(LED)
; _4 b, M, i2 r+ B. N4 c 发光二极管(LED),或电发光二极管(特别是使用砷化镓或磷化镓的发光二极管)是一种可把电能变成可见光线、红外线或紫外线的半导体器件,例如,可在控制系统中作显示或传输数据之用。5 q* o* n, W# t0 E) s
激光二极管。这种二极管可发射出连贯的光束,用于探测核子,也用于测高计、遥测设备或纤维光导通信系统。 r! j- @6 t& i- z) I
四、已装配的压电晶体
2 K1 V; O9 ~- ? 压电晶体主要由钛酸钡(包括用钛酸钡制成的多晶偏光元件)、锆酸钛酸铅或品目38.24所列的其他晶体(参见相应的注释)、石英或电气石晶体制成,用于传声器、扬声器、超声波装置、稳频振荡电路等。只有已装配的压电晶体才归入本品目。压电晶体一般为板、棒、圆片、环等形状,并且必须装有电极或电接头。压电晶体可涂有一层石墨、清漆等,或装在支座上,常装有一个外壳(例如,金属盒、玻璃泡)。但如果装配了其他器件,整件货品(装上附加晶体)则不能作为已经装配的晶体,而应作有关机器或器具的零件并按有关机器或器具的零件归类。例如,传声器或扬声器用的压电元件(品目85.18);拾音头(品目85.22);超声波测厚仪用的拾波元件(探针)(一般酌情根据第九十章注释二(二)归入第九十章或归入品目90.33);电子表用的石英振荡子(品目91.14)。6 Y, R: O/ c* S7 T k
本品目不包括未装配的压电晶体(一般归入品目38.24、71.03或71.04)。
* s1 P9 V' b5 A" x/ ]零  件+ F3 f- B' }: |% }/ z* c
除零件的归类总原则另有规定的以外(参见第十六类总注释),本品目所列货品的零件也应归入本品目。
9 R9 }* t1 o( _ j# A○
/ X2 k% P7 e1 K) O○ ○
! a6 G! S0 J+ K3 R' k子目注释:
. E O" e) o# v: V$ F. B子目8541.21
5 C1 u7 Z4 ~: z: @' _ 把特定的工作电压施加到晶体管上,并测量其连续处理功率,当晶体管外壳的温度为25℃时,即可测量出晶体管的耗散功率。例如,如果一个晶体管给定操作电压为5伏特,晶体管外壳的温度保持在25℃时,可连续处理0.2安培的负载,那么,该晶体管的耗散功率即为1瓦特(安培数×伏特数=瓦数)。- s' ~( ?. i* C$ r J
带有热耗散器件(例如,突片、金属壳)的晶体管,以其底部或壳子的温度作为参照温度(25℃);而其他晶体管(例如,配有简单的塑料外壳)则以室温作为参照温度。 |
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