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发表于 2017-2-15 16:32:26
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85.41  二极管、晶体管及类似的半导体器件;光敏半导体器件,包括不论是否装在组件内或组装成块的光电池;发光二极管(LED);已装配的压电晶体(+):
7 K- s+ I. g9 x; t: j% u0 D5 t    10  — 二极管,但光敏二极管或发光二极管(LED)除外
# H# i7 ]3 N* q9 {% k     — 晶体管,但光敏晶体管除外:2 W6 G2 {8 U4 I
   21  — — 耗散功率小于1瓦的# R. [' `6 T7 w' ^ K
   29  — — 其他
* Z! I' J6 ]( X( c3 m) D& w- d( _- `- T    30  — 半导体开关元件、两端交流开关元件及三端双向可控硅开关元件,但光敏器件除外
9 D% A0 M% Q. A    40  — 光敏半导体器件,包括不论是否装在组件内或组装成块的光电池;发光二极管(LED)3 p8 b) c5 s) Y3 @% h% K7 ~
   50  — 其他半导体器件3 |9 J* C8 E. s
   60  — 已装配的压电晶体% m6 b5 r* {# @* Z3 f% J- Z
   90  — 零件7 D9 ^/ N( @4 M& O! i) Q; d1 e
 
! G, q& {+ A. _7 S" ? 一、二极管、晶体管及类似的半导体器件
* j& r: b( }/ n1 A$ S- O 半导体器件的定义,参见本章注释九(一)。
3 u4 x4 `' s3 H7 [. u 这些半导体器件是依靠某些“半导体”材料的电子性能进行工作的。
* @% f" y7 t" P8 I* ?# F) b* [& E. J 这些半导体材料的主要特点是在室温下其电阻率介于导体(金属)与绝缘体的电阻率之间。这些材料为以下物质:某些矿石(例如,结晶方铅矿)、四价化学元素(锗、硅等)或化学元素的化合物(例如,砷化镓、锑化铟等三价及五价化学元素的化合物)。# j, S1 F2 q2 ]& g+ r
含有四价化学元素的半导体材料一般是单晶体。这些材料纯净时不能使用,必须掺入极微量(以百万分之几计)的特定“杂质”(掺杂剂)之后才可使用。% l H3 Y8 A* S- o& V) i; S
掺入四价化学元素的“杂质”为五价化学元素(磷、砷、锑等)或三价元素(硼、铝、镓、铟等)。前者可得到带多余电子(带负电)的n型半导体;后者可得到所带电子不足,也就是说以空穴(带正电)为主的p型半导体。
: j$ P, a, U M" C5 Y/ a9 | b 由三价与五价化学元素化合而成的半导体材料也需掺杂。
& } ~/ h+ j9 K- T# q3 G$ Y% V 矿石半导体材料中含有天然杂质,可作为掺杂剂。
. c) U( \; y" m' c 本组的半导体器件一般在p型与n型半导体材料之间含有一个或多个“结”。
; n" E: O) m0 ?/ n 这些半导体器件包括:
% B+ _, d" f# P% U" _ (一)二极管,一种仅带有一个p-n结的半导体两端器件,可单向(正向)导电,而对另一方向(反向)的电流产生很大的阻力。二极管可用于检波、整流、开关等方面。# F7 I7 H4 q1 N# m
二极管的主要类型有信号管、整流管、调压管、基准电压管。4 W" H$ Y; L5 z5 @% t& _/ R
(二)晶体管,为半导体三端或四端器件,能对电流起放大、振荡、变频或开关等作用。晶体管是依靠其中两个电极之间电阻率的变化,并同时对第三个电极施加电场而进行工作的。所施加的控制信号或电场比因电阻变化而产生的作用更加微弱,从而起到放大的作用。
6 T) |8 A/ y" U) e$ h* d 晶体管包括:
6 D+ `; K. X7 ~2 D; e, m6 L 1.双极型晶体管。这是一种带有两个二极管式面结的半导体三端器件;这种晶体管依靠正电荷载流子及负电荷载流子进行工作(因而是双极的)。8 t' L8 `3 K4 v1 I% u
2.场效应晶体管〔也称为金属氧化物半导体(MOS)场效应管〕,不论其是否带有面结,均是依靠两电极间可用电荷载流的感应衰竭(或感应增强)进行工作的。场效应晶体管的晶体管工作时仅使用一种电荷载流子(因而是单极的)。MOS场效应晶体管(也称为MOSFET)中的寄生二极管,可以在电感负载切换中作为续流二极管使用。装有四个电极的MOS场效应晶体管称为四极管。/ ]! r6 V7 Y0 P; W
(三)类似的半导体器件。这里所称的“类似”半导体器件,是指依靠施加电场时所引起的电阻率的变化进行工作的半导体器件。
- m2 ^. @; j* ] 它们包括:. U4 B$ k% _% u
1.半导体开关元件。这种器件的半导体材料(带有三个或三个以上的p-n结)共有四个传导区。当控制脉冲产生传导性时,直流电可从传导区中定向通过。半导体开关元件可用作控制整流器、转换器或放大器,其性能与带有一个共集极/共基极结的两个联结互补晶体管相同。
- [2 |; J t/ X9 }1 {5 r! f' k2.三端双向可控硅开关元件。这种器件的半导体材料(带有四个p-n结)共有五个传导区,当控制脉冲产生传导性时,交流电可通过。, W x, F( K, i( k" M% t" `; a- C
3. 绝缘栅双极型晶体管(IGBT),是由一个门极、两个负载极(发射极及集电极)构成的三端器件。通过对门极与发射极施加适当的电压,可以控制电流的流向,即接通或切断。IGBT芯片可与二极管封装在一起(IGBT模块),以保护IGBT器件,并使其具有晶体管的功能。
' ^* p9 D8 b* ^( e$ h! g 4.两端交流开关元件。这种器件的半导体材料(带有两个p-n结)共有三个传导区,可产生所需脉冲,以操纵三端双向可控硅开关元件。8 n0 K0 o4 _. R; u
5.可变电抗器(或称变容二极管)。, N- y( L5 T* t+ B, A
6.场效应器件,例如,栅极晶体管。
+ W3 V5 d X% n 7.冈恩效应器件。+ J& N- t! J$ l3 H% F/ }# L
但本组不包括某些半导体器件。这些半导体器件与上述半导体器件不同,主要利用温度、压力等进行工作。例如,非线性半导体电阻器(热敏电阻器、变阻器、磁电阻器等)(品目85.33)。
/ U9 h) {2 G! e9 e- ]' m+ N 利用光线进行工作的光敏器件(光敏二极管等)的归类,参见第二部分。' f, ~' a, F/ s( C6 ]' @
上述半导体器件,不论其报验时已经装配(即已装有线接头或引线),或者已装有外壳(器件),或未装配(元件),或者甚至是未切成形的薄圆片(晶片),均归入本品目。但天然半导体材料(例如,方铅矿)须经装配才可归入本品目。
6 o% }! g" w. K/ w 本品目也不包括第二十八章的化学元素(例如,硅及硒)经过掺杂后用于电子工业的产品。它们为圆片、薄片或类似形状,不论是否已经抛光,也不论是否已经覆有均匀的外延层,均不归入本品目,除非这些货品已经有选择地掺入掺杂剂或者已经过扩散,形成分立的导电区。
9 o% B: j: `/ C 二、光敏半导体器件3 U, m4 R2 f" a) s
本组包括光敏半导体器件,这些半导体在可见光线、红外线或紫外线的作用下,利用其内在光电效应,引起电阻率的变化或产生电动势。7 ]$ T, c% Q* `* g
利用外部光电效应(光电发射)进行工作的光电发射管,应归入品目85.40。
. i2 E8 t1 N9 b2 d 光敏半导体器件的主要类型有:
" N0 h$ Q7 R" L2 }- J1 ]- Y( t (一)光电管(光敏电阻器),一般装有两个电极,两个电极之间为半导体(硫化镉、硫化铅等),其电阻随所受到的光照强度而变化。% n2 T( l' l+ _0 R" s/ C. Q$ W, r
光电管用于火焰探测器,自动照相机、移动物体计数器、自动精密测量装置用的曝光表,自动开门系统等。
- p' f6 X5 ^6 S+ N X (二)光电池,可直接把光变成电能,无须外部电源。用硒作阻挡层的光电池主要用于照度计及曝光表。用硅作阻挡层的光电池具有较大的输出功率,特别适用于控制与调节设备、检测光脉冲及纤维光导通信系统等。( E# ~7 d& z& K( j u8 x. s
光电池的主要类型有:8 k; ^& C) `) p& M
1.太阳电池,一种硅阻挡层光电池,可直接把太阳光变成电能。太阳电池通常成组作为电源使用。例如,用于探索太空的火箭及人造卫星;山区呼救送话器。) ]- Q* z( I, t6 A
本品目也包括不论是否装在组件内或组装成块的太阳电池。但本品目不包括配有元件,直接为电动机、电解槽等供电的电池板及电池组件,不论所配元件如何简单(例如,用于控制电流方向的二极管)(品目85.01)。
2 ?% m+ y* R; n% _2 H 2.光电二极管(锗光电二极管、硅光电二极管等)。光电二极管的特点是,当光线照射到p-n结时,其电阻率会发生变化。它可用于自动数据处理(储存数据的读取);在某些电子管中作为光阴极使用;用于辐射高温计等。光电晶体管及光敏闸流晶体管均属这类光电接收器件。4 t) G9 N6 I( Y: A3 j
光电二级管装上外壳后,可根据其外壳与上述第一部分所列的二极管、晶体管及闸流晶体管相区别;光电二极管的外壳有部分是透明的,以便透光。
R1 K2 @( v. a$ \1 b0 y 3.光电耦及光电继电器,由电发光二极管与光电二极管、光电晶体管或光敏闸流晶体管组成。4 ]7 {+ w: r: p8 V6 ]. s. m: s
光电半导体器件报验时,不论是已经装配(例如,装有线接头或引线),已装外壳或未经装配的,均归入本品目。
7 E& F b. g1 ?" c0 {, r 三、发光二极管(LED)
, A7 i) L( R! R! J8 ^4 s h 发光二极管(LED),或电发光二极管(特别是使用砷化镓或磷化镓的发光二极管)是一种可把电能变成可见光线、红外线或紫外线的半导体器件,例如,可在控制系统中作显示或传输数据之用。, d* x* U, g4 I$ n5 o$ s+ J
激光二极管。这种二极管可发射出连贯的光束,用于探测核子,也用于测高计、遥测设备或纤维光导通信系统。+ R0 V) r, X" f+ _/ Q
四、已装配的压电晶体! B* D6 U/ ~6 E
压电晶体主要由钛酸钡(包括用钛酸钡制成的多晶偏光元件)、锆酸钛酸铅或品目38.24所列的其他晶体(参见相应的注释)、石英或电气石晶体制成,用于传声器、扬声器、超声波装置、稳频振荡电路等。只有已装配的压电晶体才归入本品目。压电晶体一般为板、棒、圆片、环等形状,并且必须装有电极或电接头。压电晶体可涂有一层石墨、清漆等,或装在支座上,常装有一个外壳(例如,金属盒、玻璃泡)。但如果装配了其他器件,整件货品(装上附加晶体)则不能作为已经装配的晶体,而应作有关机器或器具的零件并按有关机器或器具的零件归类。例如,传声器或扬声器用的压电元件(品目85.18);拾音头(品目85.22);超声波测厚仪用的拾波元件(探针)(一般酌情根据第九十章注释二(二)归入第九十章或归入品目90.33);电子表用的石英振荡子(品目91.14)。1 u/ g4 z+ y7 d( Q/ z
本品目不包括未装配的压电晶体(一般归入品目38.24、71.03或71.04)。
) L! E7 @+ W! \0 b" \: i零  件( E" g. m( x6 _6 S% J7 p0 D
除零件的归类总原则另有规定的以外(参见第十六类总注释),本品目所列货品的零件也应归入本品目。8 E7 t$ G! [' u
○
# R# j# J6 y. {○ ○# r/ x% w9 U0 j8 Q3 o' l
子目注释:
, B" V% r- O; y9 U# R子目8541.212 _* l3 F2 f. E. u+ d( i4 E- q
把特定的工作电压施加到晶体管上,并测量其连续处理功率,当晶体管外壳的温度为25℃时,即可测量出晶体管的耗散功率。例如,如果一个晶体管给定操作电压为5伏特,晶体管外壳的温度保持在25℃时,可连续处理0.2安培的负载,那么,该晶体管的耗散功率即为1瓦特(安培数×伏特数=瓦数)。 Z) k1 B* ?. ?3 F
带有热耗散器件(例如,突片、金属壳)的晶体管,以其底部或壳子的温度作为参照温度(25℃);而其他晶体管(例如,配有简单的塑料外壳)则以室温作为参照温度。 |
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