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发表于 2017-2-15 16:32:26
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85.41  二极管、晶体管及类似的半导体器件;光敏半导体器件,包括不论是否装在组件内或组装成块的光电池;发光二极管(LED);已装配的压电晶体(+):2 p: P, J/ i& v* o# r- V" L; O
   10  — 二极管,但光敏二极管或发光二极管(LED)除外$ S. R4 J$ G0 n9 K
    — 晶体管,但光敏晶体管除外:
: y- t9 W7 r" b    21  — — 耗散功率小于1瓦的$ r; g1 ^( P, o7 S0 v$ i3 a
   29  — — 其他
$ c9 ?, T3 e2 ` o8 A; _    30  — 半导体开关元件、两端交流开关元件及三端双向可控硅开关元件,但光敏器件除外- o6 K7 D6 p8 W6 f8 i$ ^( B2 c1 c
   40  — 光敏半导体器件,包括不论是否装在组件内或组装成块的光电池;发光二极管(LED)1 m+ J) Y+ ?0 X* p9 y
   50  — 其他半导体器件4 ?0 H- \5 m4 r5 y% Q, B: q8 h& x
   60  — 已装配的压电晶体
5 [1 d( d1 _8 p2 a    90  — 零件
+ G! m( M9 \' d$ B v+ B4 { 
/ I; Y7 e3 b% I! \) U# f' x! L5 A" \ 一、二极管、晶体管及类似的半导体器件, h& [9 C( R: D0 R+ J, x
半导体器件的定义,参见本章注释九(一)。. v7 N2 s8 c/ a4 u
这些半导体器件是依靠某些“半导体”材料的电子性能进行工作的。- w4 S! n) a* ~: T0 E
这些半导体材料的主要特点是在室温下其电阻率介于导体(金属)与绝缘体的电阻率之间。这些材料为以下物质:某些矿石(例如,结晶方铅矿)、四价化学元素(锗、硅等)或化学元素的化合物(例如,砷化镓、锑化铟等三价及五价化学元素的化合物)。
/ b& \' i1 ]8 [. {3 I5 c6 W 含有四价化学元素的半导体材料一般是单晶体。这些材料纯净时不能使用,必须掺入极微量(以百万分之几计)的特定“杂质”(掺杂剂)之后才可使用。
/ N2 z3 D" z! c8 u. J+ H! Z( N$ Q; ] 掺入四价化学元素的“杂质”为五价化学元素(磷、砷、锑等)或三价元素(硼、铝、镓、铟等)。前者可得到带多余电子(带负电)的n型半导体;后者可得到所带电子不足,也就是说以空穴(带正电)为主的p型半导体。 D! b5 G& X) M
由三价与五价化学元素化合而成的半导体材料也需掺杂。1 }0 C3 r8 j! Z2 D
矿石半导体材料中含有天然杂质,可作为掺杂剂。# r# U, f5 o* Y4 D* ?
本组的半导体器件一般在p型与n型半导体材料之间含有一个或多个“结”。! n: w# ~, E2 d& W3 [! H
这些半导体器件包括:4 v7 E8 m, ^' r) e7 t6 K, X
(一)二极管,一种仅带有一个p-n结的半导体两端器件,可单向(正向)导电,而对另一方向(反向)的电流产生很大的阻力。二极管可用于检波、整流、开关等方面。$ q& Y7 O3 x' }% k" J7 m
二极管的主要类型有信号管、整流管、调压管、基准电压管。. p' j4 K& O: F, X5 B% b: r6 F& d
(二)晶体管,为半导体三端或四端器件,能对电流起放大、振荡、变频或开关等作用。晶体管是依靠其中两个电极之间电阻率的变化,并同时对第三个电极施加电场而进行工作的。所施加的控制信号或电场比因电阻变化而产生的作用更加微弱,从而起到放大的作用。1 j, R# _1 d( V# [
晶体管包括:
: h" K1 u0 s9 d- F. }' t 1.双极型晶体管。这是一种带有两个二极管式面结的半导体三端器件;这种晶体管依靠正电荷载流子及负电荷载流子进行工作(因而是双极的)。
' A* V$ j- V6 C2 ] _ 2.场效应晶体管〔也称为金属氧化物半导体(MOS)场效应管〕,不论其是否带有面结,均是依靠两电极间可用电荷载流的感应衰竭(或感应增强)进行工作的。场效应晶体管的晶体管工作时仅使用一种电荷载流子(因而是单极的)。MOS场效应晶体管(也称为MOSFET)中的寄生二极管,可以在电感负载切换中作为续流二极管使用。装有四个电极的MOS场效应晶体管称为四极管。5 w; I4 |8 s* d! h1 U \. t
(三)类似的半导体器件。这里所称的“类似”半导体器件,是指依靠施加电场时所引起的电阻率的变化进行工作的半导体器件。
( U3 Z' h: P' s0 E 它们包括:
& Z9 c6 m3 O. r* e# t0 u$ t 1.半导体开关元件。这种器件的半导体材料(带有三个或三个以上的p-n结)共有四个传导区。当控制脉冲产生传导性时,直流电可从传导区中定向通过。半导体开关元件可用作控制整流器、转换器或放大器,其性能与带有一个共集极/共基极结的两个联结互补晶体管相同。' v7 Y1 e1 _& u+ q* }1 H
2.三端双向可控硅开关元件。这种器件的半导体材料(带有四个p-n结)共有五个传导区,当控制脉冲产生传导性时,交流电可通过。8 B3 y2 ?2 h+ G8 c8 \
3. 绝缘栅双极型晶体管(IGBT),是由一个门极、两个负载极(发射极及集电极)构成的三端器件。通过对门极与发射极施加适当的电压,可以控制电流的流向,即接通或切断。IGBT芯片可与二极管封装在一起(IGBT模块),以保护IGBT器件,并使其具有晶体管的功能。
7 f, i0 p, s0 u0 K 4.两端交流开关元件。这种器件的半导体材料(带有两个p-n结)共有三个传导区,可产生所需脉冲,以操纵三端双向可控硅开关元件。! D' L+ P8 m; U( w0 m
5.可变电抗器(或称变容二极管)。9 U7 j( s M5 U
6.场效应器件,例如,栅极晶体管。5 A; M8 k+ s* G9 x" V# i
7.冈恩效应器件。& r a7 |( ^* z2 I' x; F5 `
但本组不包括某些半导体器件。这些半导体器件与上述半导体器件不同,主要利用温度、压力等进行工作。例如,非线性半导体电阻器(热敏电阻器、变阻器、磁电阻器等)(品目85.33)。
+ r: P' a9 R3 N7 q1 S 利用光线进行工作的光敏器件(光敏二极管等)的归类,参见第二部分。
2 \/ [( F; R0 s( ~" K' l, g 上述半导体器件,不论其报验时已经装配(即已装有线接头或引线),或者已装有外壳(器件),或未装配(元件),或者甚至是未切成形的薄圆片(晶片),均归入本品目。但天然半导体材料(例如,方铅矿)须经装配才可归入本品目。
8 b4 s1 |6 s: `1 J8 n& B* d 本品目也不包括第二十八章的化学元素(例如,硅及硒)经过掺杂后用于电子工业的产品。它们为圆片、薄片或类似形状,不论是否已经抛光,也不论是否已经覆有均匀的外延层,均不归入本品目,除非这些货品已经有选择地掺入掺杂剂或者已经过扩散,形成分立的导电区。
9 u& P% Q* M1 | I6 u6 Q# i 二、光敏半导体器件
! c7 O# K, m/ c: L+ k 本组包括光敏半导体器件,这些半导体在可见光线、红外线或紫外线的作用下,利用其内在光电效应,引起电阻率的变化或产生电动势。3 v* ?0 Q' j2 K: V' ?
利用外部光电效应(光电发射)进行工作的光电发射管,应归入品目85.40。
, Z4 w7 M# _% w( l0 e/ h8 k 光敏半导体器件的主要类型有:
1 |& v- B$ p& W! e (一)光电管(光敏电阻器),一般装有两个电极,两个电极之间为半导体(硫化镉、硫化铅等),其电阻随所受到的光照强度而变化。
4 m- Y& P2 _$ [4 ` 光电管用于火焰探测器,自动照相机、移动物体计数器、自动精密测量装置用的曝光表,自动开门系统等。! {7 Y7 \! ?3 ~- y3 g/ |9 d. E# O% |
(二)光电池,可直接把光变成电能,无须外部电源。用硒作阻挡层的光电池主要用于照度计及曝光表。用硅作阻挡层的光电池具有较大的输出功率,特别适用于控制与调节设备、检测光脉冲及纤维光导通信系统等。2 B) t* N% b6 Y+ x5 ]
光电池的主要类型有:
3 _' h9 `* Z q) Y' R# x 1.太阳电池,一种硅阻挡层光电池,可直接把太阳光变成电能。太阳电池通常成组作为电源使用。例如,用于探索太空的火箭及人造卫星;山区呼救送话器。
5 K9 r, S" S/ [: e! d2 ? 本品目也包括不论是否装在组件内或组装成块的太阳电池。但本品目不包括配有元件,直接为电动机、电解槽等供电的电池板及电池组件,不论所配元件如何简单(例如,用于控制电流方向的二极管)(品目85.01)。
1 A$ y( N0 m3 t* o! o 2.光电二极管(锗光电二极管、硅光电二极管等)。光电二极管的特点是,当光线照射到p-n结时,其电阻率会发生变化。它可用于自动数据处理(储存数据的读取);在某些电子管中作为光阴极使用;用于辐射高温计等。光电晶体管及光敏闸流晶体管均属这类光电接收器件。
& \$ O0 o9 Q+ g r! o+ m 光电二级管装上外壳后,可根据其外壳与上述第一部分所列的二极管、晶体管及闸流晶体管相区别;光电二极管的外壳有部分是透明的,以便透光。
1 A" N4 Y! S0 d: V) G T 3.光电耦及光电继电器,由电发光二极管与光电二极管、光电晶体管或光敏闸流晶体管组成。
1 P+ F% ~% V2 W; B. v 光电半导体器件报验时,不论是已经装配(例如,装有线接头或引线),已装外壳或未经装配的,均归入本品目。
6 A; j- g- U' r0 }; |; P( A% U7 Q 三、发光二极管(LED)
! s1 F R3 H% e/ _5 h& E 发光二极管(LED),或电发光二极管(特别是使用砷化镓或磷化镓的发光二极管)是一种可把电能变成可见光线、红外线或紫外线的半导体器件,例如,可在控制系统中作显示或传输数据之用。
$ Z4 Y) e+ |' v7 r/ P6 u. @ 激光二极管。这种二极管可发射出连贯的光束,用于探测核子,也用于测高计、遥测设备或纤维光导通信系统。
6 l9 Z4 A! z+ Z* t& {' ^ 四、已装配的压电晶体& i8 B3 N5 t- T# A& @, E
压电晶体主要由钛酸钡(包括用钛酸钡制成的多晶偏光元件)、锆酸钛酸铅或品目38.24所列的其他晶体(参见相应的注释)、石英或电气石晶体制成,用于传声器、扬声器、超声波装置、稳频振荡电路等。只有已装配的压电晶体才归入本品目。压电晶体一般为板、棒、圆片、环等形状,并且必须装有电极或电接头。压电晶体可涂有一层石墨、清漆等,或装在支座上,常装有一个外壳(例如,金属盒、玻璃泡)。但如果装配了其他器件,整件货品(装上附加晶体)则不能作为已经装配的晶体,而应作有关机器或器具的零件并按有关机器或器具的零件归类。例如,传声器或扬声器用的压电元件(品目85.18);拾音头(品目85.22);超声波测厚仪用的拾波元件(探针)(一般酌情根据第九十章注释二(二)归入第九十章或归入品目90.33);电子表用的石英振荡子(品目91.14)。3 d, w( W% G* _& q4 M5 O
本品目不包括未装配的压电晶体(一般归入品目38.24、71.03或71.04)。0 i2 b; J. [+ D; G; x7 y$ |
零  件
: s8 c( n! X! y: Z$ W& s' W 除零件的归类总原则另有规定的以外(参见第十六类总注释),本品目所列货品的零件也应归入本品目。7 h; Q m" W: h$ Y; C; K
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# p* E0 j9 ]( Z6 I6 @' x" N○ ○
* A* ]$ B/ o& B( K子目注释:
. ^, g- l9 ^8 E7 A子目8541.21 ~9 V- i! a" `2 E& Z
把特定的工作电压施加到晶体管上,并测量其连续处理功率,当晶体管外壳的温度为25℃时,即可测量出晶体管的耗散功率。例如,如果一个晶体管给定操作电压为5伏特,晶体管外壳的温度保持在25℃时,可连续处理0.2安培的负载,那么,该晶体管的耗散功率即为1瓦特(安培数×伏特数=瓦数)。$ f& H' v! o0 @ ?2 u( W8 P9 t
带有热耗散器件(例如,突片、金属壳)的晶体管,以其底部或壳子的温度作为参照温度(25℃);而其他晶体管(例如,配有简单的塑料外壳)则以室温作为参照温度。 |
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