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发表于 2017-2-15 16:32:26
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85.41  二极管、晶体管及类似的半导体器件;光敏半导体器件,包括不论是否装在组件内或组装成块的光电池;发光二极管(LED);已装配的压电晶体(+):
+ F4 f9 f7 J) A# X$ k* [$ }    10  — 二极管,但光敏二极管或发光二极管(LED)除外9 t# ?3 T/ T+ V2 z9 H7 ~& a$ o
    — 晶体管,但光敏晶体管除外:
2 G; o0 i# X9 F/ A5 o# I3 a/ n w    21  — — 耗散功率小于1瓦的6 U9 Y3 M# K# d" V6 B
   29  — — 其他
, A- z2 b# V2 ~% N$ I    30  — 半导体开关元件、两端交流开关元件及三端双向可控硅开关元件,但光敏器件除外: q2 H% L+ q4 k: m
   40  — 光敏半导体器件,包括不论是否装在组件内或组装成块的光电池;发光二极管(LED)& e8 X/ {/ W/ }* {* _8 `% S
   50  — 其他半导体器件: K/ ]- ?" V; c7 X7 K1 d, F
   60  — 已装配的压电晶体" \6 \# J( y, j0 D
   90  — 零件% G) x. A; m8 E0 a$ M, ~
 
: C0 ^. E: `5 { 一、二极管、晶体管及类似的半导体器件, k* f1 j3 d+ d
半导体器件的定义,参见本章注释九(一)。
# [7 s; M; N0 `1 z0 [ 这些半导体器件是依靠某些“半导体”材料的电子性能进行工作的。% V" g" P4 |$ l
这些半导体材料的主要特点是在室温下其电阻率介于导体(金属)与绝缘体的电阻率之间。这些材料为以下物质:某些矿石(例如,结晶方铅矿)、四价化学元素(锗、硅等)或化学元素的化合物(例如,砷化镓、锑化铟等三价及五价化学元素的化合物)。
- P0 N; W& d* Y9 } 含有四价化学元素的半导体材料一般是单晶体。这些材料纯净时不能使用,必须掺入极微量(以百万分之几计)的特定“杂质”(掺杂剂)之后才可使用。4 D- P/ X& X% i4 Y( L, o! @$ M9 b: f: X
掺入四价化学元素的“杂质”为五价化学元素(磷、砷、锑等)或三价元素(硼、铝、镓、铟等)。前者可得到带多余电子(带负电)的n型半导体;后者可得到所带电子不足,也就是说以空穴(带正电)为主的p型半导体。
y; Y6 {; L1 r5 ` 由三价与五价化学元素化合而成的半导体材料也需掺杂。
( ]3 O1 v% D( N; {- o 矿石半导体材料中含有天然杂质,可作为掺杂剂。- ~! F0 k. C+ R% r# @6 l7 Q3 A6 M/ N5 }: `
本组的半导体器件一般在p型与n型半导体材料之间含有一个或多个“结”。$ E) t; z) l4 k/ u/ ^/ x
这些半导体器件包括:
. S: z7 D8 o# l4 K" E+ [ (一)二极管,一种仅带有一个p-n结的半导体两端器件,可单向(正向)导电,而对另一方向(反向)的电流产生很大的阻力。二极管可用于检波、整流、开关等方面。! s. C: Z6 x( b( G1 ?
二极管的主要类型有信号管、整流管、调压管、基准电压管。
% o# ^" l( r4 h5 s( J1 V (二)晶体管,为半导体三端或四端器件,能对电流起放大、振荡、变频或开关等作用。晶体管是依靠其中两个电极之间电阻率的变化,并同时对第三个电极施加电场而进行工作的。所施加的控制信号或电场比因电阻变化而产生的作用更加微弱,从而起到放大的作用。
6 Y' e- T l0 x- _# u3 K 晶体管包括:# {% M* ?; n% J6 O: m9 Q/ F
1.双极型晶体管。这是一种带有两个二极管式面结的半导体三端器件;这种晶体管依靠正电荷载流子及负电荷载流子进行工作(因而是双极的)。7 R4 `: @5 P) t- ?) ]* c+ O% m" n
2.场效应晶体管〔也称为金属氧化物半导体(MOS)场效应管〕,不论其是否带有面结,均是依靠两电极间可用电荷载流的感应衰竭(或感应增强)进行工作的。场效应晶体管的晶体管工作时仅使用一种电荷载流子(因而是单极的)。MOS场效应晶体管(也称为MOSFET)中的寄生二极管,可以在电感负载切换中作为续流二极管使用。装有四个电极的MOS场效应晶体管称为四极管。
# y# T8 I# P, i. e+ r0 o (三)类似的半导体器件。这里所称的“类似”半导体器件,是指依靠施加电场时所引起的电阻率的变化进行工作的半导体器件。" W% G' w/ @& X) c/ ?
它们包括:( G3 i# ?5 d3 E& h' {
1.半导体开关元件。这种器件的半导体材料(带有三个或三个以上的p-n结)共有四个传导区。当控制脉冲产生传导性时,直流电可从传导区中定向通过。半导体开关元件可用作控制整流器、转换器或放大器,其性能与带有一个共集极/共基极结的两个联结互补晶体管相同。
8 q' q/ e9 l' w. s9 O9 ]. E- R' y2.三端双向可控硅开关元件。这种器件的半导体材料(带有四个p-n结)共有五个传导区,当控制脉冲产生传导性时,交流电可通过。
i. G$ P( ]6 F4 @, @ 3. 绝缘栅双极型晶体管(IGBT),是由一个门极、两个负载极(发射极及集电极)构成的三端器件。通过对门极与发射极施加适当的电压,可以控制电流的流向,即接通或切断。IGBT芯片可与二极管封装在一起(IGBT模块),以保护IGBT器件,并使其具有晶体管的功能。; F' y" G$ V' ~/ n6 `
4.两端交流开关元件。这种器件的半导体材料(带有两个p-n结)共有三个传导区,可产生所需脉冲,以操纵三端双向可控硅开关元件。
6 n) M: K0 z5 q& F9 p& A1 \ 5.可变电抗器(或称变容二极管)。8 ^, h$ v% o! o" \9 S" ]
6.场效应器件,例如,栅极晶体管。
0 h- A* X1 b4 g! F( v/ k 7.冈恩效应器件。
0 P$ ^9 W5 U% ]3 \$ { 但本组不包括某些半导体器件。这些半导体器件与上述半导体器件不同,主要利用温度、压力等进行工作。例如,非线性半导体电阻器(热敏电阻器、变阻器、磁电阻器等)(品目85.33)。* e, e0 e! V3 y
利用光线进行工作的光敏器件(光敏二极管等)的归类,参见第二部分。
/ z$ _+ Y( f$ `: @: \$ Y 上述半导体器件,不论其报验时已经装配(即已装有线接头或引线),或者已装有外壳(器件),或未装配(元件),或者甚至是未切成形的薄圆片(晶片),均归入本品目。但天然半导体材料(例如,方铅矿)须经装配才可归入本品目。/ H' V& F% |7 E* Y, H* s5 P
本品目也不包括第二十八章的化学元素(例如,硅及硒)经过掺杂后用于电子工业的产品。它们为圆片、薄片或类似形状,不论是否已经抛光,也不论是否已经覆有均匀的外延层,均不归入本品目,除非这些货品已经有选择地掺入掺杂剂或者已经过扩散,形成分立的导电区。6 i t/ p6 `( s8 ~" S1 |
二、光敏半导体器件
B* } G7 M( A7 P' c8 f 本组包括光敏半导体器件,这些半导体在可见光线、红外线或紫外线的作用下,利用其内在光电效应,引起电阻率的变化或产生电动势。7 b# m; a) [3 _# p( s; }! b; D
利用外部光电效应(光电发射)进行工作的光电发射管,应归入品目85.40。
/ A, J( _, Z, Q0 b6 h& M 光敏半导体器件的主要类型有:
6 |# S. i3 Z0 e2 O7 c7 N1 q (一)光电管(光敏电阻器),一般装有两个电极,两个电极之间为半导体(硫化镉、硫化铅等),其电阻随所受到的光照强度而变化。
) e8 j3 t0 n) v2 H- v 光电管用于火焰探测器,自动照相机、移动物体计数器、自动精密测量装置用的曝光表,自动开门系统等。
3 W( B: w4 O# y) n& u5 _ (二)光电池,可直接把光变成电能,无须外部电源。用硒作阻挡层的光电池主要用于照度计及曝光表。用硅作阻挡层的光电池具有较大的输出功率,特别适用于控制与调节设备、检测光脉冲及纤维光导通信系统等。6 }, V# |! L' T
光电池的主要类型有:. G8 C* X9 _* r! N# {
1.太阳电池,一种硅阻挡层光电池,可直接把太阳光变成电能。太阳电池通常成组作为电源使用。例如,用于探索太空的火箭及人造卫星;山区呼救送话器。
+ e( R* C, ?/ S2 @8 O6 K+ c. A0 K/ X 本品目也包括不论是否装在组件内或组装成块的太阳电池。但本品目不包括配有元件,直接为电动机、电解槽等供电的电池板及电池组件,不论所配元件如何简单(例如,用于控制电流方向的二极管)(品目85.01)。
1 m( v. g- _) Y; U d 2.光电二极管(锗光电二极管、硅光电二极管等)。光电二极管的特点是,当光线照射到p-n结时,其电阻率会发生变化。它可用于自动数据处理(储存数据的读取);在某些电子管中作为光阴极使用;用于辐射高温计等。光电晶体管及光敏闸流晶体管均属这类光电接收器件。
4 M' Y. c% y* ? U- S 光电二级管装上外壳后,可根据其外壳与上述第一部分所列的二极管、晶体管及闸流晶体管相区别;光电二极管的外壳有部分是透明的,以便透光。
- V1 n' i4 z1 |. P+ [ 3.光电耦及光电继电器,由电发光二极管与光电二极管、光电晶体管或光敏闸流晶体管组成。" B, l! b$ g+ K0 M
光电半导体器件报验时,不论是已经装配(例如,装有线接头或引线),已装外壳或未经装配的,均归入本品目。
" T+ F+ I* A2 ?' N, | 三、发光二极管(LED)( b* S2 v! U, j$ {' Y ]
发光二极管(LED),或电发光二极管(特别是使用砷化镓或磷化镓的发光二极管)是一种可把电能变成可见光线、红外线或紫外线的半导体器件,例如,可在控制系统中作显示或传输数据之用。: O1 l' r8 p2 @! k, y
激光二极管。这种二极管可发射出连贯的光束,用于探测核子,也用于测高计、遥测设备或纤维光导通信系统。. c9 m' a/ F* ]+ H* X" F9 F1 s: j
四、已装配的压电晶体0 S6 V% Y! ?" |
压电晶体主要由钛酸钡(包括用钛酸钡制成的多晶偏光元件)、锆酸钛酸铅或品目38.24所列的其他晶体(参见相应的注释)、石英或电气石晶体制成,用于传声器、扬声器、超声波装置、稳频振荡电路等。只有已装配的压电晶体才归入本品目。压电晶体一般为板、棒、圆片、环等形状,并且必须装有电极或电接头。压电晶体可涂有一层石墨、清漆等,或装在支座上,常装有一个外壳(例如,金属盒、玻璃泡)。但如果装配了其他器件,整件货品(装上附加晶体)则不能作为已经装配的晶体,而应作有关机器或器具的零件并按有关机器或器具的零件归类。例如,传声器或扬声器用的压电元件(品目85.18);拾音头(品目85.22);超声波测厚仪用的拾波元件(探针)(一般酌情根据第九十章注释二(二)归入第九十章或归入品目90.33);电子表用的石英振荡子(品目91.14)。& a7 d7 ^' F D% |, g
本品目不包括未装配的压电晶体(一般归入品目38.24、71.03或71.04)。3 f9 u R/ g2 U0 B0 r* k N0 v3 S- c
零  件
. O) {5 O- Y9 S4 ]+ k0 y 除零件的归类总原则另有规定的以外(参见第十六类总注释),本品目所列货品的零件也应归入本品目。/ n8 P* p5 `: d4 k& J
○
) W, B" d' w. k& c! U# p% P% K6 ~$ n/ m3 z○ ○0 l" b1 [4 d! n5 k5 z0 P- S
子目注释:4 a% Q0 j0 J6 _- ]5 X1 T* Q+ U
子目8541.21: a+ T' |" H5 T, D3 I/ I
把特定的工作电压施加到晶体管上,并测量其连续处理功率,当晶体管外壳的温度为25℃时,即可测量出晶体管的耗散功率。例如,如果一个晶体管给定操作电压为5伏特,晶体管外壳的温度保持在25℃时,可连续处理0.2安培的负载,那么,该晶体管的耗散功率即为1瓦特(安培数×伏特数=瓦数)。0 F9 B; J, c- l7 G7 q% z/ a
带有热耗散器件(例如,突片、金属壳)的晶体管,以其底部或壳子的温度作为参照温度(25℃);而其他晶体管(例如,配有简单的塑料外壳)则以室温作为参照温度。 |
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