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发表于 2017-2-15 16:32:26
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85.41  二极管、晶体管及类似的半导体器件;光敏半导体器件,包括不论是否装在组件内或组装成块的光电池;发光二极管(LED);已装配的压电晶体(+):) `: ?4 Z! Q: [0 R3 O% H" v
   10  — 二极管,但光敏二极管或发光二极管(LED)除外
+ k8 {1 n# O4 @: Q5 \1 M/ } r* @' w; L     — 晶体管,但光敏晶体管除外:. a: c$ l! p, p2 G2 g {
   21  — — 耗散功率小于1瓦的6 b. B, w% F" E2 D( J! ^6 K6 t. {
   29  — — 其他
5 r: d: O$ p$ K    30  — 半导体开关元件、两端交流开关元件及三端双向可控硅开关元件,但光敏器件除外, [. b4 j- r4 p. C' r
   40  — 光敏半导体器件,包括不论是否装在组件内或组装成块的光电池;发光二极管(LED)
6 ^9 G0 M, D$ \    50  — 其他半导体器件
, d& G# t! m4 K, e    60  — 已装配的压电晶体
$ w/ w4 w9 T: ^" a$ }    90  — 零件
% L# V' N- h" ?& z* d* v2 [( X" ]5 e $ _- q9 w' h0 r8 p- s1 |5 _
一、二极管、晶体管及类似的半导体器件
6 S' z" Q8 |) d/ e" H9 f 半导体器件的定义,参见本章注释九(一)。
5 w6 Y P, j8 o# ?( u/ J, n* R 这些半导体器件是依靠某些“半导体”材料的电子性能进行工作的。# N* C7 b2 s# [7 g
这些半导体材料的主要特点是在室温下其电阻率介于导体(金属)与绝缘体的电阻率之间。这些材料为以下物质:某些矿石(例如,结晶方铅矿)、四价化学元素(锗、硅等)或化学元素的化合物(例如,砷化镓、锑化铟等三价及五价化学元素的化合物)。
2 B% }: ~; s# O7 n# g 含有四价化学元素的半导体材料一般是单晶体。这些材料纯净时不能使用,必须掺入极微量(以百万分之几计)的特定“杂质”(掺杂剂)之后才可使用。4 w, s, h+ S% Q2 a& f8 f
掺入四价化学元素的“杂质”为五价化学元素(磷、砷、锑等)或三价元素(硼、铝、镓、铟等)。前者可得到带多余电子(带负电)的n型半导体;后者可得到所带电子不足,也就是说以空穴(带正电)为主的p型半导体。
, K4 ] W y* v 由三价与五价化学元素化合而成的半导体材料也需掺杂。" U3 p6 B6 j3 H, C x
矿石半导体材料中含有天然杂质,可作为掺杂剂。. r5 J8 y- H1 o( m
本组的半导体器件一般在p型与n型半导体材料之间含有一个或多个“结”。
7 k. a; Q) | m- T+ @+ I6 l 这些半导体器件包括:' I5 Z7 ]0 m( x% m/ r, J
(一)二极管,一种仅带有一个p-n结的半导体两端器件,可单向(正向)导电,而对另一方向(反向)的电流产生很大的阻力。二极管可用于检波、整流、开关等方面。
5 f, Q8 R" j l, }( E6 n& g4 i& }! d 二极管的主要类型有信号管、整流管、调压管、基准电压管。
' ^: ?' B5 p8 x; F (二)晶体管,为半导体三端或四端器件,能对电流起放大、振荡、变频或开关等作用。晶体管是依靠其中两个电极之间电阻率的变化,并同时对第三个电极施加电场而进行工作的。所施加的控制信号或电场比因电阻变化而产生的作用更加微弱,从而起到放大的作用。+ v: m9 O+ k+ n9 \
晶体管包括:
. y+ @; V; z, j& d2 P! }6 | 1.双极型晶体管。这是一种带有两个二极管式面结的半导体三端器件;这种晶体管依靠正电荷载流子及负电荷载流子进行工作(因而是双极的)。
3 w) T* g( y- q: x( X 2.场效应晶体管〔也称为金属氧化物半导体(MOS)场效应管〕,不论其是否带有面结,均是依靠两电极间可用电荷载流的感应衰竭(或感应增强)进行工作的。场效应晶体管的晶体管工作时仅使用一种电荷载流子(因而是单极的)。MOS场效应晶体管(也称为MOSFET)中的寄生二极管,可以在电感负载切换中作为续流二极管使用。装有四个电极的MOS场效应晶体管称为四极管。. f# A, c* ^: |* W, v/ \
(三)类似的半导体器件。这里所称的“类似”半导体器件,是指依靠施加电场时所引起的电阻率的变化进行工作的半导体器件。- j, e; L: t- k
它们包括:
1 Z2 o; ~* o+ J' t6 F, N: ~( }- m 1.半导体开关元件。这种器件的半导体材料(带有三个或三个以上的p-n结)共有四个传导区。当控制脉冲产生传导性时,直流电可从传导区中定向通过。半导体开关元件可用作控制整流器、转换器或放大器,其性能与带有一个共集极/共基极结的两个联结互补晶体管相同。1 x7 P; B$ p! k0 S
2.三端双向可控硅开关元件。这种器件的半导体材料(带有四个p-n结)共有五个传导区,当控制脉冲产生传导性时,交流电可通过。
- d6 W% Z5 f7 M& a. U& H4 c. W9 U 3. 绝缘栅双极型晶体管(IGBT),是由一个门极、两个负载极(发射极及集电极)构成的三端器件。通过对门极与发射极施加适当的电压,可以控制电流的流向,即接通或切断。IGBT芯片可与二极管封装在一起(IGBT模块),以保护IGBT器件,并使其具有晶体管的功能。
4 R9 y; ^0 F! W, Y+ P 4.两端交流开关元件。这种器件的半导体材料(带有两个p-n结)共有三个传导区,可产生所需脉冲,以操纵三端双向可控硅开关元件。
2 W* A# i N" q+ k0 P+ u 5.可变电抗器(或称变容二极管)。3 T2 B$ L* `7 @6 B6 [2 B
6.场效应器件,例如,栅极晶体管。# `4 a! {& p' G& ?7 y
7.冈恩效应器件。8 I- n3 G4 l2 Q- `9 S/ f1 S7 X
但本组不包括某些半导体器件。这些半导体器件与上述半导体器件不同,主要利用温度、压力等进行工作。例如,非线性半导体电阻器(热敏电阻器、变阻器、磁电阻器等)(品目85.33)。
: D3 r% G6 _& \8 ^ 利用光线进行工作的光敏器件(光敏二极管等)的归类,参见第二部分。
, C5 H6 {: |' `# A' Q" h( F 上述半导体器件,不论其报验时已经装配(即已装有线接头或引线),或者已装有外壳(器件),或未装配(元件),或者甚至是未切成形的薄圆片(晶片),均归入本品目。但天然半导体材料(例如,方铅矿)须经装配才可归入本品目。" `; {+ ~$ i, x$ k- ~- J! |
本品目也不包括第二十八章的化学元素(例如,硅及硒)经过掺杂后用于电子工业的产品。它们为圆片、薄片或类似形状,不论是否已经抛光,也不论是否已经覆有均匀的外延层,均不归入本品目,除非这些货品已经有选择地掺入掺杂剂或者已经过扩散,形成分立的导电区。, K! S+ [$ p% ?! W
二、光敏半导体器件4 U! s; f2 a+ m9 l. Z( {; f
本组包括光敏半导体器件,这些半导体在可见光线、红外线或紫外线的作用下,利用其内在光电效应,引起电阻率的变化或产生电动势。 E2 Z& D. z& L9 E
利用外部光电效应(光电发射)进行工作的光电发射管,应归入品目85.40。' t6 \5 L. M; `6 r7 J
光敏半导体器件的主要类型有:
% o4 }9 _3 e$ y9 a1 H (一)光电管(光敏电阻器),一般装有两个电极,两个电极之间为半导体(硫化镉、硫化铅等),其电阻随所受到的光照强度而变化。
5 n% G4 r2 b* X 光电管用于火焰探测器,自动照相机、移动物体计数器、自动精密测量装置用的曝光表,自动开门系统等。5 P0 J; Q% a8 `) t0 N9 N$ P: k+ g
(二)光电池,可直接把光变成电能,无须外部电源。用硒作阻挡层的光电池主要用于照度计及曝光表。用硅作阻挡层的光电池具有较大的输出功率,特别适用于控制与调节设备、检测光脉冲及纤维光导通信系统等。
$ k( b6 `5 x6 p: L2 ]) r, h) ]& ~ 光电池的主要类型有:
9 v% y4 s o4 d! f3 w* ~! v) O; o 1.太阳电池,一种硅阻挡层光电池,可直接把太阳光变成电能。太阳电池通常成组作为电源使用。例如,用于探索太空的火箭及人造卫星;山区呼救送话器。: B, x* ?( O* E% d+ I/ z) b: ^
本品目也包括不论是否装在组件内或组装成块的太阳电池。但本品目不包括配有元件,直接为电动机、电解槽等供电的电池板及电池组件,不论所配元件如何简单(例如,用于控制电流方向的二极管)(品目85.01)。) n, v1 m" v+ g6 F' p0 J
2.光电二极管(锗光电二极管、硅光电二极管等)。光电二极管的特点是,当光线照射到p-n结时,其电阻率会发生变化。它可用于自动数据处理(储存数据的读取);在某些电子管中作为光阴极使用;用于辐射高温计等。光电晶体管及光敏闸流晶体管均属这类光电接收器件。' u/ h& H9 x! c2 W: U- t" B/ u/ |
光电二级管装上外壳后,可根据其外壳与上述第一部分所列的二极管、晶体管及闸流晶体管相区别;光电二极管的外壳有部分是透明的,以便透光。. S9 i( L" X N/ F5 @9 G( N
3.光电耦及光电继电器,由电发光二极管与光电二极管、光电晶体管或光敏闸流晶体管组成。! B' k7 [* ?; K. |9 U9 {% h
光电半导体器件报验时,不论是已经装配(例如,装有线接头或引线),已装外壳或未经装配的,均归入本品目。
! x. T: X* q; v: i0 a2 F ?) T 三、发光二极管(LED)9 F8 w& Q! _1 T( P2 n" V
发光二极管(LED),或电发光二极管(特别是使用砷化镓或磷化镓的发光二极管)是一种可把电能变成可见光线、红外线或紫外线的半导体器件,例如,可在控制系统中作显示或传输数据之用。
* D; r+ A a5 D, x2 } 激光二极管。这种二极管可发射出连贯的光束,用于探测核子,也用于测高计、遥测设备或纤维光导通信系统。
9 r, C$ L, ^; i @ 四、已装配的压电晶体# }4 C" v& E) S
压电晶体主要由钛酸钡(包括用钛酸钡制成的多晶偏光元件)、锆酸钛酸铅或品目38.24所列的其他晶体(参见相应的注释)、石英或电气石晶体制成,用于传声器、扬声器、超声波装置、稳频振荡电路等。只有已装配的压电晶体才归入本品目。压电晶体一般为板、棒、圆片、环等形状,并且必须装有电极或电接头。压电晶体可涂有一层石墨、清漆等,或装在支座上,常装有一个外壳(例如,金属盒、玻璃泡)。但如果装配了其他器件,整件货品(装上附加晶体)则不能作为已经装配的晶体,而应作有关机器或器具的零件并按有关机器或器具的零件归类。例如,传声器或扬声器用的压电元件(品目85.18);拾音头(品目85.22);超声波测厚仪用的拾波元件(探针)(一般酌情根据第九十章注释二(二)归入第九十章或归入品目90.33);电子表用的石英振荡子(品目91.14)。2 S. M1 I( h. B% P
本品目不包括未装配的压电晶体(一般归入品目38.24、71.03或71.04)。
3 V* z" S9 l: v6 u2 Q零  件' Z' @: ~% i6 U+ t8 e3 r: h" e
除零件的归类总原则另有规定的以外(参见第十六类总注释),本品目所列货品的零件也应归入本品目。
2 o: |7 ~3 j; {' [ x1 M% h○, q3 T& I/ L7 l# l+ l( M& U
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4 h0 v" m& q9 b) m子目注释:9 h2 P, h3 D5 Y
子目8541.21
9 m7 q% n& i- w& u9 R4 [# W 把特定的工作电压施加到晶体管上,并测量其连续处理功率,当晶体管外壳的温度为25℃时,即可测量出晶体管的耗散功率。例如,如果一个晶体管给定操作电压为5伏特,晶体管外壳的温度保持在25℃时,可连续处理0.2安培的负载,那么,该晶体管的耗散功率即为1瓦特(安培数×伏特数=瓦数)。
# ~; y* x5 J0 [# t 带有热耗散器件(例如,突片、金属壳)的晶体管,以其底部或壳子的温度作为参照温度(25℃);而其他晶体管(例如,配有简单的塑料外壳)则以室温作为参照温度。 |
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