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发表于 2017-2-15 16:32:26
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85.41  二极管、晶体管及类似的半导体器件;光敏半导体器件,包括不论是否装在组件内或组装成块的光电池;发光二极管(LED);已装配的压电晶体(+):- Y; B' {5 v0 q- J; W3 k
   10  — 二极管,但光敏二极管或发光二极管(LED)除外
0 e$ J9 J9 d) O* _0 O# A( R     — 晶体管,但光敏晶体管除外:3 `0 t/ g/ \& p( @
   21  — — 耗散功率小于1瓦的
5 D" D q6 ~/ d) g. L7 `7 u- B    29  — — 其他8 D, V( F% v3 D. z' w
   30  — 半导体开关元件、两端交流开关元件及三端双向可控硅开关元件,但光敏器件除外
2 M' R* [( i) w9 |0 W# F" E    40  — 光敏半导体器件,包括不论是否装在组件内或组装成块的光电池;发光二极管(LED)
; i/ A+ ]+ x* ^' u/ M) S    50  — 其他半导体器件* h+ n7 @* s5 [( Q% ]* \
   60  — 已装配的压电晶体
& N! E( Q8 |" t- w    90  — 零件" d L8 \ `. v
 4 w0 M) J3 W* ]. M
一、二极管、晶体管及类似的半导体器件
4 R# T6 h0 r6 w 半导体器件的定义,参见本章注释九(一)。/ B) H, Y! f3 L6 U! M; m8 f
这些半导体器件是依靠某些“半导体”材料的电子性能进行工作的。9 o; p8 n9 N! k" E- U8 }: j
这些半导体材料的主要特点是在室温下其电阻率介于导体(金属)与绝缘体的电阻率之间。这些材料为以下物质:某些矿石(例如,结晶方铅矿)、四价化学元素(锗、硅等)或化学元素的化合物(例如,砷化镓、锑化铟等三价及五价化学元素的化合物)。- M) G; y3 L# F( L) j' |
含有四价化学元素的半导体材料一般是单晶体。这些材料纯净时不能使用,必须掺入极微量(以百万分之几计)的特定“杂质”(掺杂剂)之后才可使用。
* M% `; k/ k" [; v 掺入四价化学元素的“杂质”为五价化学元素(磷、砷、锑等)或三价元素(硼、铝、镓、铟等)。前者可得到带多余电子(带负电)的n型半导体;后者可得到所带电子不足,也就是说以空穴(带正电)为主的p型半导体。- j `/ G4 U& a/ S {9 Q0 s
由三价与五价化学元素化合而成的半导体材料也需掺杂。
6 J: p& J9 f) E( C6 |' n 矿石半导体材料中含有天然杂质,可作为掺杂剂。
! }9 g- M% }, r8 s) N 本组的半导体器件一般在p型与n型半导体材料之间含有一个或多个“结”。
6 N$ S# P& }8 x) ~+ L" V 这些半导体器件包括:
3 x2 S$ X9 j7 K/ _- s (一)二极管,一种仅带有一个p-n结的半导体两端器件,可单向(正向)导电,而对另一方向(反向)的电流产生很大的阻力。二极管可用于检波、整流、开关等方面。- j: a0 S* T$ S
二极管的主要类型有信号管、整流管、调压管、基准电压管。
: w- t7 d) {+ n9 I (二)晶体管,为半导体三端或四端器件,能对电流起放大、振荡、变频或开关等作用。晶体管是依靠其中两个电极之间电阻率的变化,并同时对第三个电极施加电场而进行工作的。所施加的控制信号或电场比因电阻变化而产生的作用更加微弱,从而起到放大的作用。$ _ O" \1 M0 S$ Z1 f
晶体管包括:
: L+ S# p9 C, H0 R4 c- C0 x 1.双极型晶体管。这是一种带有两个二极管式面结的半导体三端器件;这种晶体管依靠正电荷载流子及负电荷载流子进行工作(因而是双极的)。+ i5 O$ w1 M# Y" r# k
2.场效应晶体管〔也称为金属氧化物半导体(MOS)场效应管〕,不论其是否带有面结,均是依靠两电极间可用电荷载流的感应衰竭(或感应增强)进行工作的。场效应晶体管的晶体管工作时仅使用一种电荷载流子(因而是单极的)。MOS场效应晶体管(也称为MOSFET)中的寄生二极管,可以在电感负载切换中作为续流二极管使用。装有四个电极的MOS场效应晶体管称为四极管。
, D' b* \/ s+ h: j (三)类似的半导体器件。这里所称的“类似”半导体器件,是指依靠施加电场时所引起的电阻率的变化进行工作的半导体器件。 J" q& v H, p$ A+ q8 ^4 \+ i
它们包括:
- x( y- G. a0 Q6 t6 M* f 1.半导体开关元件。这种器件的半导体材料(带有三个或三个以上的p-n结)共有四个传导区。当控制脉冲产生传导性时,直流电可从传导区中定向通过。半导体开关元件可用作控制整流器、转换器或放大器,其性能与带有一个共集极/共基极结的两个联结互补晶体管相同。, Q2 J5 D, _. x r$ O" _" V* z0 j+ e1 N
2.三端双向可控硅开关元件。这种器件的半导体材料(带有四个p-n结)共有五个传导区,当控制脉冲产生传导性时,交流电可通过。" k+ ^1 C1 E8 l9 X1 Q
3. 绝缘栅双极型晶体管(IGBT),是由一个门极、两个负载极(发射极及集电极)构成的三端器件。通过对门极与发射极施加适当的电压,可以控制电流的流向,即接通或切断。IGBT芯片可与二极管封装在一起(IGBT模块),以保护IGBT器件,并使其具有晶体管的功能。
+ e; `, f5 m& @8 _ 4.两端交流开关元件。这种器件的半导体材料(带有两个p-n结)共有三个传导区,可产生所需脉冲,以操纵三端双向可控硅开关元件。. `6 N/ B- m7 s, u1 i0 e, A
5.可变电抗器(或称变容二极管)。
( ^9 ?9 D4 ~$ _4 W4 ~" F# y) y# o 6.场效应器件,例如,栅极晶体管。
: S, F, A" `5 v1 v% x 7.冈恩效应器件。
0 Y `! y, z, M a$ V+ C8 a! Q! `5 [ 但本组不包括某些半导体器件。这些半导体器件与上述半导体器件不同,主要利用温度、压力等进行工作。例如,非线性半导体电阻器(热敏电阻器、变阻器、磁电阻器等)(品目85.33)。
% H- z# q# v1 M4 R/ y) `( g, C 利用光线进行工作的光敏器件(光敏二极管等)的归类,参见第二部分。3 q" g+ W: N" N0 s8 a4 F8 `
上述半导体器件,不论其报验时已经装配(即已装有线接头或引线),或者已装有外壳(器件),或未装配(元件),或者甚至是未切成形的薄圆片(晶片),均归入本品目。但天然半导体材料(例如,方铅矿)须经装配才可归入本品目。
7 ]# ]1 r5 l; b6 I 本品目也不包括第二十八章的化学元素(例如,硅及硒)经过掺杂后用于电子工业的产品。它们为圆片、薄片或类似形状,不论是否已经抛光,也不论是否已经覆有均匀的外延层,均不归入本品目,除非这些货品已经有选择地掺入掺杂剂或者已经过扩散,形成分立的导电区。$ S# l/ U$ i9 `2 W1 l
二、光敏半导体器件
- j# ~! N+ Y* z* } 本组包括光敏半导体器件,这些半导体在可见光线、红外线或紫外线的作用下,利用其内在光电效应,引起电阻率的变化或产生电动势。
1 @! F" L1 B9 Y0 c% H" ^3 N 利用外部光电效应(光电发射)进行工作的光电发射管,应归入品目85.40。
6 p! V0 E# o, x* b 光敏半导体器件的主要类型有:; b& Q& C, f: F
(一)光电管(光敏电阻器),一般装有两个电极,两个电极之间为半导体(硫化镉、硫化铅等),其电阻随所受到的光照强度而变化。
& T- T6 z( } a$ K 光电管用于火焰探测器,自动照相机、移动物体计数器、自动精密测量装置用的曝光表,自动开门系统等。5 [. x% h0 \: A7 |9 h$ u8 p
(二)光电池,可直接把光变成电能,无须外部电源。用硒作阻挡层的光电池主要用于照度计及曝光表。用硅作阻挡层的光电池具有较大的输出功率,特别适用于控制与调节设备、检测光脉冲及纤维光导通信系统等。6 C/ ?, o- Q [% v; N! Q& k
光电池的主要类型有:
/ v& U8 y9 V( m: s. K 1.太阳电池,一种硅阻挡层光电池,可直接把太阳光变成电能。太阳电池通常成组作为电源使用。例如,用于探索太空的火箭及人造卫星;山区呼救送话器。) c" b% O1 P, E5 D8 ` ?
本品目也包括不论是否装在组件内或组装成块的太阳电池。但本品目不包括配有元件,直接为电动机、电解槽等供电的电池板及电池组件,不论所配元件如何简单(例如,用于控制电流方向的二极管)(品目85.01)。5 U3 o- q* G) c
2.光电二极管(锗光电二极管、硅光电二极管等)。光电二极管的特点是,当光线照射到p-n结时,其电阻率会发生变化。它可用于自动数据处理(储存数据的读取);在某些电子管中作为光阴极使用;用于辐射高温计等。光电晶体管及光敏闸流晶体管均属这类光电接收器件。
; o5 C/ o3 x9 u5 h# k 光电二级管装上外壳后,可根据其外壳与上述第一部分所列的二极管、晶体管及闸流晶体管相区别;光电二极管的外壳有部分是透明的,以便透光。
9 | L% b9 `) y& C) P 3.光电耦及光电继电器,由电发光二极管与光电二极管、光电晶体管或光敏闸流晶体管组成。0 @) k% y' L' I, n u1 t
光电半导体器件报验时,不论是已经装配(例如,装有线接头或引线),已装外壳或未经装配的,均归入本品目。8 D! \) p% F; W7 F U8 Y) n
三、发光二极管(LED)
* D* k3 o* t+ M4 y4 |5 f4 N 发光二极管(LED),或电发光二极管(特别是使用砷化镓或磷化镓的发光二极管)是一种可把电能变成可见光线、红外线或紫外线的半导体器件,例如,可在控制系统中作显示或传输数据之用。) {, g7 o/ K' H: q/ l# P# X7 Q& u
激光二极管。这种二极管可发射出连贯的光束,用于探测核子,也用于测高计、遥测设备或纤维光导通信系统。
' f( O" H) ^& p& K) Y% D, u) L& T8 p 四、已装配的压电晶体& |" j) w! I! P$ t
压电晶体主要由钛酸钡(包括用钛酸钡制成的多晶偏光元件)、锆酸钛酸铅或品目38.24所列的其他晶体(参见相应的注释)、石英或电气石晶体制成,用于传声器、扬声器、超声波装置、稳频振荡电路等。只有已装配的压电晶体才归入本品目。压电晶体一般为板、棒、圆片、环等形状,并且必须装有电极或电接头。压电晶体可涂有一层石墨、清漆等,或装在支座上,常装有一个外壳(例如,金属盒、玻璃泡)。但如果装配了其他器件,整件货品(装上附加晶体)则不能作为已经装配的晶体,而应作有关机器或器具的零件并按有关机器或器具的零件归类。例如,传声器或扬声器用的压电元件(品目85.18);拾音头(品目85.22);超声波测厚仪用的拾波元件(探针)(一般酌情根据第九十章注释二(二)归入第九十章或归入品目90.33);电子表用的石英振荡子(品目91.14)。
" l! C. a! M# ?, T! |# g2 r( y2 w 本品目不包括未装配的压电晶体(一般归入品目38.24、71.03或71.04)。
0 Z) g. q5 I' W. u5 w4 W4 l1 I8 ]. l0 i零  件6 [: C0 G/ c' Z$ x
除零件的归类总原则另有规定的以外(参见第十六类总注释),本品目所列货品的零件也应归入本品目。
$ m( r* T3 r1 X1 m7 L○% z0 V1 T& e' s& {
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H. U7 B; I# ^+ c+ i( Q' Z子目注释:6 u* m6 A" L) c
子目8541.21
; }! y8 Q1 d2 c" d' ~" o 把特定的工作电压施加到晶体管上,并测量其连续处理功率,当晶体管外壳的温度为25℃时,即可测量出晶体管的耗散功率。例如,如果一个晶体管给定操作电压为5伏特,晶体管外壳的温度保持在25℃时,可连续处理0.2安培的负载,那么,该晶体管的耗散功率即为1瓦特(安培数×伏特数=瓦数)。6 D/ q" B) u+ t7 z) C
带有热耗散器件(例如,突片、金属壳)的晶体管,以其底部或壳子的温度作为参照温度(25℃);而其他晶体管(例如,配有简单的塑料外壳)则以室温作为参照温度。 |
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